【媒体界】12月26日消息，近日，全球半导体领域的竞争再度升级，来自韩国、中国台湾和美国的三大芯片制造商，分别是中国台湾台积电、韩国三星电子和美国英特尔，纷纷加速推进先进的2nm半导体工艺的研发，为明年的竞争激化埋下伏笔。
据业内最新报道，目前最先进的量产技术仍停留在三星电子和台积电生产的3nm工艺。尽管三星电子去年6月开始量产3nm工艺，而台积电则在今年年初开始量产，但由于初始良品率的担忧和半导体市场的低迷，3nm工艺的市场需求并未达到预期，使得客户对这些高成本先进工艺的需求减少。
据媒体界了解，虽然台积电依然在全球代工市场中保持着强劲的份额，从2021年第三季度的53.1%增至2023年同期的57.9%。与之相比，同期三星代工厂的市场份额却从17.1%降至12.4%。
在这场激烈的竞争中，英特尔和三星都明确表态，更加注重在台积电之前开发先进工艺，而非立即扩大订单。它们的战略是抢占下一个市场，而不是在价格上与行业领导者直接竞争。
特别值得关注的是，英特尔正在积极行动，重新进入代工业务。计划明年上半年量产20A 2nm级产品，下半年开发1.8nm级产品18A。英特尔去年9月已经推出了18A半导体晶圆的原型，并与荷兰半导体设备公司ASML签订了关键的设备合同。近日，ASML宣布将向英特尔交付全球首台High-NA极紫外(EUV)设备，预计将成为2nm以下工艺的关键工具。相较之下，三星的目标是明年开始量产改进后的第二代3nm工艺，并在2025年上半年实现2nm工艺的量产。台积电则计划在2025年下半年开始2nm工艺的量产。
这一轮半导体技术的竞争不仅体现了各家企业在技术研发上的不懈努力，也为全球半导体行业带来了更为激烈的变革与发展。
