在近日举行的长鑫科技IPO路演活动中，公司董事长朱一明向投资者阐述了企业未来的战略规划。他表示，登陆资本市场是长鑫科技发展的新起点，公司将以此为契机，进一步提升技术研发能力，优化产业化布局，并强化对市场需求的响应能力。同时，作为行业龙头企业，长鑫科技将积极推动产业链上下游协同发展，为中国集成电路产业生态建设贡献力量。
朱一明强调，长鑫科技将始终坚持自主创新道路，保持对技术突破的持续投入，并不断提升核心竞争力。他期待与投资者共同把握中国集成电路产业发展的机遇，以稳健经营回报社会各界的信任。此次路演吸引了广泛关注，线上提问近300条，内容涵盖产品迭代、供应链管理、市场竞争格局等多个维度。
自2019年成功量产首款8Gb DDR4芯片以来，长鑫科技通过跳代研发策略快速推进技术迭代。目前，公司已完成四代工艺平台量产，产品覆盖DDR5、LPDDR5/5X等主流规格，成为全球第四大DRAM供应商。根据Omdia数据，2025年第四季度长鑫科技全球市场份额达7.67%，较前期显著提升，且产能规模稳居国内首位。
财务数据显示，长鑫科技经营状况持续改善。2023至2025年，公司归母净利润从-163.40亿元逐步收窄至18.75亿元，2026年一季度更实现净利润330.12亿元。公司副总裁袁园指出，业绩好转得益于行业周期上行、规模效应释放及精益生产管理。随着先进技术平台量产和产能利用率提升，公司盈利能力有望进一步增强。
在毛利率表现上，长鑫科技已达到国际领先水平。财务负责人黄丹阳透露，2025年公司综合毛利率与三星电子基本持平，显著优于南亚科技。这一成绩主要归功于产品结构优化、规模效应显现及DRAM价格大幅上涨。从趋势看，公司毛利率走势与三星、SK海力士等国际大厂保持同步，均呈现周期性回升特征。
面对服务器DRAM市场的快速增长，长鑫科技正积极布局新一代产品。董事长朱一明表示，数据中心扩张和云计算发展将推动服务器DRAM需求持续攀升。据Omdia预测，该领域市场规模占比将从2025年的50%提升至2030年的71%，年复合增长率达28.29%。长鑫科技计划通过产线扩建和技术升级，进一步巩固市场地位。
在供应链安全方面，朱一明介绍，公司通过整合龙头企业资源，推动科研机构与产业链上下游企业深度合作，重点加强设备、材料等核心环节的协同开发。这一举措不仅提升了供应链稳定性，也带动了国内半导体产业整体发展。目前，长鑫科技已形成覆盖设计、制造、封装测试的完整生态体系。
国际化布局方面，长鑫科技采取"立足国内、拓展海外"策略。2023至2025年，公司境外收入占比从79.95%下降至57.21%，境内销售规模显著增长。朱一明表示，本次上市将助力公司提升全球品牌影响力，通过工艺升级降低成本，增强对全球市场的供给保障能力。随着募集资金项目推进，长鑫科技有望在全球DRAM竞争中占据更有利位置。
作为国内DRAM产业领军企业，长鑫科技的发展对产业链协同效应显著。朱一明强调，公司上市不仅将促进自身高质量发展，更能带动设计企业、EDA厂商、设备材料供应商等产业链核心环节共同进步。这一举措将提升我国集成电路产业综合实力，推动行业向更高水平迈进。
