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Rapidus携手Cadence,探索2nm GAA BSPDN背面供电工艺新前沿

2024-12-13来源:ITBEAR编辑:瑞雪

近日,日本高端芯片制造商Rapidus宣布了一项重大合作进展,与全球领先的电子设计自动化(EDA)及半导体知识产权(IP)企业Cadence楷登电子达成了全面合作协议。此次合作的核心聚焦于2纳米(nm)GAA BSPDN制程技术,这是Rapidus首次公开提及的背面供电工艺。

BSPDN技术被视为半导体制造领域的一次革命性突破,它通过将芯片的供电结构从传统的晶圆正面转移到背面,大大简化了供电路径,并有效减少了电力路径对信号传输的干扰,从而实现了平台整体电压与功耗的显著降低。这一创新对于提升芯片性能和效率具有重要意义。

值得注意的是,Rapidus并非唯一一家布局BSPDN技术的芯片制造商。在此之前,全球三大先进制程企业——英特尔、台积电和三星电子,均已明确规划了各自的BSPDN节点。其中,英特尔计划在2025年推出Intel 18A制程,台积电则将于2026年下半年推出A16制程,而三星电子的SF2Z制程则预计于2027年实现量产。

除了2nm GAA BSPDN制程的合作外,Rapidus与Cadence还将在AI驱动参考设计流程构建方面展开深入合作。Cadence将提供包括HBM4、PCIe 7.0、224G SerDes等在内的先进IP组合,这些IP将被纳入Rapidus为客户提供的“定制化服务菜单”中,以满足客户多样化的需求。

Rapidus的首席执行官小池淳义对此次合作表示高度赞赏:“与Cadence在2nm BSPDN技术上的携手合作,使我们站在了半导体创新的前沿,这标志着我们在性能和效率方面实现了重大飞跃。通过结合双方的专业知识,我们期待为共同客户和整个行业制定新的技术标准,并创造变革性的解决方案。”

Cadence的总裁兼首席执行官Anirudh Devgan同样对合作充满期待:“与Rapidus在2nm GAA BSPDN技术上的广泛合作,充分展示了Cadence AI驱动解决方案在解决实际问题和满足客户需求方面的实力。通过将Cadence先进的接口、存储器IP技术以及参考流程与Rapidus的工艺技术相结合,我们正携手为未来AI基础设施的构建提供坚实的支持。”

Rapidus在同一天还宣布了与另一家EDA和IP库巨头Synopsys的合作,双方将共同减少工艺和PDK变更对IP库的影响,进一步提升芯片设计的效率和准确性。