特斯拉首席执行官埃隆·马斯克近日透露，公司自研AI芯片的迭代计划已进入关键阶段。在宣布AI5芯片完成流片后，他详细阐述了后续产品的技术路线图，其中AI6与AI6.5芯片的制造工艺与架构设计成为焦点。
据马斯克介绍，AI5芯片在算力上实现重大突破，单颗芯片的有效算力达到双芯AI4方案的5倍。该芯片的内存配置引发行业关注——两侧封装的内存颗粒长宽比例异常，与GDDR系列标准不符，推测采用LPDDR5X规格。这一设计选择或与芯片对低功耗、高带宽的需求密切相关。
下一代AI6芯片将由三星电子位于美国得州泰勒市的晶圆厂代工，采用2nm制程工艺制造。在保持400平方毫米以上芯片面积的前提下，其性能较前代实现翻倍增长，并配备更新的LPDDR6内存。更值得关注的是，AI6.5芯片将转由台积电美国亚利桑那州工厂生产，同样基于2nm工艺，通过架构优化进一步推高性能极限。
在芯片架构层面，AI6与AI6.5均采用创新设计：约50%的TRIP AI计算加速器将与SRAM缓存实现紧密耦合。这种布局可显著减少数据传输延迟，提升内存访问效率，从而在相同功耗下获得更高的实际运算性能。行业分析师指出，这种异构集成方式正成为高性能AI芯片的设计趋势。
