英诺赛科科技成功登陆港交所，引领氮化镓半导体新时代。近日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（股票代码02577.HK）在香港联合交易所主板成功挂牌上市，标志着这家氮化镓功率半导体领域的佼佼者正式迈入资本市场。
此次上市，英诺赛科全球发售4536.4万股H股，发行价定为每股30.86港元。上市首日，其股价便展现出强劲势头，午盘前一度飙升至每股34港元，彰显出市场对英诺赛科的热烈期待。
英诺赛科作为氮化镓半导体技术的领航者，其成就令人瞩目。氮化镓作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及强抗辐射能力等特性，相较于传统硅基器件，传导电子效率可高出千倍，成为半导体行业的璀璨新星。
随着新能源汽车、光伏及储能等领域的蓬勃发展，对半导体材料的转化效率及成本控制提出了更高要求。氮化镓以其高效能与卓越性能，成为国内外巨头竞相追逐的焦点。英诺赛科作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，同时也是唯一具备全电压谱系硅基氮化镓半导体产品产业规模供应的公司，其行业地位不言而喻。
根据弗若斯特沙利文的资料显示，以2023年收入计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体企业中独占鳌头。其营业收入在近几年实现了爆发式增长，从2021年的0.68亿元跃升至2023年的5.93亿元，复合年增长率高达194.8%。海外市场的收入亦持续攀升，展现出英诺赛科全球化布局的显著成效。
英诺赛科不仅业务增长迅猛，其盈利状况亦逐渐向好。从2021年至2024年上半年，公司的净亏损正逐步收窄。深入分析发现，英诺赛科的净亏损并非源自其核心产品氮化镓的问题，而是受到股权融资负债账面值变动及股权激励计划开支等非经营性因素的影响。
此次上市，英诺赛科计划将募资所得款项的约60%用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，从每月12,500片晶圆增加至每月70,000片晶圆；约20%用于研发及扩大产品组合；约10%用于扩展全球分销网络。这一战略布局旨在进一步提升英诺赛科在全球氮化镓市场的竞争力。
技术驱动是英诺赛科成功的关键。自成立以来，公司始终致力于技术创新，仅在2021年至2024年上半年，就在氮化镓产品及技术研发上投入超过17亿元。英诺赛科在苏州建立了全球研发中心，并在全球范围内拥有406项专利及387项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造等关键领域。
英诺赛科的技术领先地位和商业化能力得到了市场的广泛认可。根据弗若斯特沙利文的资料，2023年，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中以42.4%的市场份额排名第一，累计出货量超过8.5亿颗氮化镓分立器件。这一成绩进一步巩固了英诺赛科在全球氮化镓功率半导体市场的领导地位。
在上市前夕，英诺赛科更是吸引了众多知名机构和半导体龙头的青睐。意法半导体、江苏国企混改基金、苏州高端装备及东方创联等成为公司的基石投资者，用实际行动表达了对英诺赛科及氮化镓未来发展的信心。半导体知名公司矽力杰也选择在上市前战略入股英诺赛科，双方将共同探索未来技术发展的广阔空间。
