在科技创新的浪潮中，一家由华人女科学家领军的半导体企业——英诺赛科，近日成功登陆港股市场，引起了业界的广泛关注。这家专注于氮化镓半导体研发的公司，不仅在全球氮化镓功率半导体领域占据领先地位，更在短短七年内实现了从零到一的飞跃。
英诺赛科的上市之路并非一帆风顺，但凭借着其在氮化镓领域的深厚积累和技术突破，最终赢得了市场的认可。12月30日，英诺赛科以每股30.86港元的定价成功发行4536.40万股新股，募资总额达到13.99亿港元。上市首日，其股价便有所上涨，总市值超过282亿港元，展现出强劲的市场表现。
英诺赛科之所以能在全球氮化镓市场中脱颖而出，离不开其创始人骆薇薇的远见卓识和坚定决心。2015年，骆薇薇作为美国宇航局（NASA）的首席科学家，毅然决定回国创业，投身于第三代半导体产业。在当时，氮化镓尚未大规模商业化应用，而骆薇薇却选择了更具挑战性的8英寸工艺去制作芯片，这一决定不仅提高了晶圆晶粒的产出数，还降低了单一器件的成本。
骆薇薇的创业之路并非坦途，起初她面临着重重困难，甚至有人劝阻她不要回国创业。但她凭借着对科技的热爱和执着，最终在苏州成立了英诺赛科。在苏州这个充满创新活力的城市，英诺赛科迅速成长，并得到了地方产业基金和众多风投机构的支持。从2017年至2024年，英诺赛科在资本市场完成了五轮融资，总金额超过60亿元，估值也一路飙升至235亿元。
在骆薇薇的带领下，英诺赛科不仅实现了8英寸硅基氮化镓晶圆的量产，还成为全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科稳居全球第一，市场份额高达42.4%。这一成绩的取得，离不开英诺赛科在研发和创新上的持续投入。
然而，英诺赛科的发展并非没有挑战。在全球竞争中，它面临着国际巨头的专利“围剿”。例如，美国氮化镓厂商宜普公司（EPC）就曾向美国国际贸易委员会（ITC）指控英诺赛科侵犯其专利。尽管英诺赛科在部分专利上取得了胜诉，但仍需应对其他专利纠纷。英诺赛科的产品主要市场在国内，境外收入占比不足一成，这也在一定程度上限制了其全球竞争力。
尽管面临诸多挑战，但英诺赛科并未停下前进的脚步。此次IPO，英诺赛科计划将募资额用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、偿还银行贷款、研发及扩大产品组合、扩大氮化镓产品的全球分销网络以及营运资金等其他一般公司用途。这将有助于英诺赛科进一步提升其在全球氮化镓市场的竞争力。
骆薇薇的创业故事不仅激励了无数科技创业者，也展示了中国科技创新的无限可能。在骆薇薇的带领下，英诺赛科将继续在氮化镓半导体领域深耕细作，为全球客户提供更优质的产品和服务。
同时，英诺赛科的上市也为苏州乃至中国的科技创新产业注入了新的活力。它证明了在科技创新的道路上，只要有坚定的信念和持续的努力，就一定能够创造出属于自己的辉煌。
随着英诺赛科在港股市场的成功上市，这家超级独角兽已经迈出了新阶段的第一步。未来，它将如何继续书写自己的传奇故事，让我们拭目以待。
